Crossbar kündet neue RRAM-Technologie an
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RRAM soll 20-fach höhere Schreibgeschwindigkeiten, einen 20-fach verringerten Energieverbrauch und eine 10 mal höhere Lebensdauer bieten als die heute oft als Festplatten-Alternative eingesetzten NAND-Flash-Module, wie engadget berichtet. RRAM erlaubt Lesegeschwindigkeiten von 17 MB pro Sekunde und Schreibgeschwindigkeiten von 140 MB/s. Wie NAND-Module bleiben gespeicherte Daten auch bei RRAM erhalten, wenn die Stromzufuhr unterbrichen wird.
Die neuartigen Speicher-Chips können laut Crossbar in herkömmlichen Mikrochip-Produktionslinien - mit Anpassungen - hergestellt werden. Durch einen mehrschichtigen Aufbau wird eine hohe Speicherdichte erreicht. Ein 200 Quadratmillimeter großes Modul kann bis zu einem Terabyte an Daten speichern. Crossbar will noch einige Feinabstimmungen vornehmen und dann mit der Massenproduktion beginnen. Die Lizenz zur Nutzung der Technologie soll auch an andere Unternehmen verkauft werden.
Die Daten werden in dünnen, leitenden Verbindungen zwischen den Schichten des RRAM-Moduls gespeichert. Ein Speicherriegel besteht aus drei Lagen. Zwischen einer Wolfram- und einer Silizium-Schicht, die als Elektroden dienen, liegt eine Schicht aus amorphem Silizium und Silber. Bei Anlegen einer Spannung entstehen in dieser Schicht winzige leitende Brücken, die auch nach Abschalten des Stroms erhalten bleiben und den elektrische Widerstand des Moduls ändern.
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