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26.11.2013

Japanische und US-Industrie entwickeln neue Speicher

Über 20 US-amerikanische und japanische Firmen bündeln ihre Kräfte, um eine neue Speichertechnologie, die DRAM ablösen soll, serienreif zu machen.

Im Februar 2014 soll das Projekt, an dem unter anderem Renesas, Hitachi und Tokyo Electron mitarbeiten, starten. Die beteiligten Unternehmen schicken ihre Spezialisten an die Tohoku-Universität, wo die neuen Produktionsmethoden entwickelt werden sollen, wie theregister berichtet. Die Firmen wollen einen Weg finden, MRAM-Speichermodule kostengünstig in Serie zu produzieren. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) wird schon seit Jahren als Konkurrent für die gängigen Flash-Speicher und "Dynamic Random Access Memory"-Riegel (DRAM) gehandelt, konnte sich bislang aber noch nicht durchsetzen.

Der Vorteil von MRAM ist, dass Daten auch dann erhalten bleiben, wenn die Stromzufuhr unterbrochen wird. Zudem benötigt MRAM nur ein Drittel der Energie, die DRAM braucht und ermöglicht eine zehn Mal höhere Schreibgeschwindigkeit. Auch die Speicherdichte ist um das Zehnfache höher. Diese Eigenschaften machen MRAM interessant für die Hersteller mobiler Geräte, bislang ist der Preis aber noch zu hoch. Neben der US-japanischen Kooperative arbeiten auch Samsung, Toshiba und andere Unternehmen an der Weiterentwicklung der MRAM-Technologie.