IBM entwickelt ersten Chip mit 7-Nanometer-Technologie

Dem IT-Konzern IBM ist ein Meilenstein gelungen. Forscher von IBM und des New Yorker College of Nanoscale Science and Engineering (SUNY) haben erstmals funktionsfähige Test-Chips mit der 7-Nanometer-Technologie entwickelt. Zuvor lag die Grenze bei 10 Nanometer. Damit ist es nun möglich, bis zu 50 Prozent mehr Transistoren auf Halbleitern zu verbauen als bisher. Im Vergleich zu aktuellen Modellen, die üblicherweise im 14- oder 22-Nanometer-Verfahren hergestellt werden, sind noch deutlichere Zuwächse möglich.

Möglich wird die Technologie unter anderem durch sehr enges Stacking. So sollen Transistoren bei der Produktion mit weniger als 30 Nanometer Abstand geschichtet werden.

Für die Herstellung kommt Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV) zum Einsatz, das dank seiner geringe Wellenlänge von 13,5 Nanometer deutlich feinere Details als ein Argon-Fluorid-Laser (193 Nanometer) zeichnen kann. Statt herkömmlichen Silizium setzt IBM zudem auf Silizium-Germanium in den Transistorkanälen, das die Leistung der FinFET-Transistoren nochmals spürbar verbessern soll.

Nicht vor 2017 am Markt

Bereits 2002 vermeldete IBM, dass man erstmals die 7-Nanometer-Barriere unterschritten habe. Damals entwickelte der US-Konzern aber lediglich einen einzelnen Transistor, der sechs Nanometer groß ist. IBM kündigte erst im Vorjahr an, mehr als drei Milliarden US-Dollar in Chipforschung und -entwicklung zu stecken. Das 7-Nanometer-Projekt sei nun das erste Ergebnis dieser Invesitition. Wann mit serienreifen Produkten oder Prozessen zu rechnen sei, gab IBM nicht bekannt. Der taiwanische Chip-Hersteller TSMC kündigte bereits dieses Jahr an, dass man 2017 mit der 7-Nanometer-Produktion beginnen wolle.